TK9J90E,S1E

Broj dijela proizvođača:	TK9J90E,S1E
Proizvođač:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Dio opisa:	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Datasheets:	TK9J90E,S1E Datasheets
Status bez olova / RoHS status:	Bez olova / u skladu sa RoHS
Stock Condition:	In Stock
Ship From:	Hong Kong
Način isporuke:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NAPOMENA: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK9J90E,S1E je dostupan na chipnets.com. Prodajemo samo nove i originalne dijelove i nudimo 1 godinu jamstva. Ako želite saznati više o proizvodima ili primijeniti još bolju cijenu, kontaktirajte nas kliknite na Online Chat ili nam pošaljite ponudu.

Sve komponente Eelctronics će biti upakovane vrlo bezbedno pomoću ESD antistatičke zaštite.

package

Specifikacija

Tip	Opis
Serije	-
Paket	Tube
Status dijela	Active
FET tip	N-Channel
Tehnologija	MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do napona izvora (Vdss)	900 V
Struja - kontinuirani odvod (Id) pri 25 ° C	9A (Ta)
Pogonski napon (maks. Crveni, najmanji crveni)	10V
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
FET Feature	-
Rasipanje snage (maks.)	250W (Tc)
Radna temperatura	150°C (TJ)
Tip ugradnje	Through Hole
Paket uređaja dobavljača	TO-3P(N)
Paket / kutija	TO-3P-3, SC-65-3

OPCIJE KUPOVINE

Stock Status: 554

Minimum: 1

Količina	Cijena po jedinici	Ext. Cijena
Cijena nije dostupna, molimo RFQ

Obračun vozarine

US $40 od strane FedEx-a.

Stiže za 3-5 dana

Ekspresno: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Besplatna dostava prvih 0,5 kg za narudžbe veće od 150 $, prekomjerna težina će se posebno naplaćivati

Popularni modeli

	TK9J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ovaj artikal je dodan u vašu korpu.